Характеристики оперативной памяти Kingston KAC-MEMF/1G
 |
Средняя цена по России, руб: 3 150 Популярность: 0.0/10 |
Общие характеристики
Производитель Производитель
Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти. X
| Kingston |
| Тип памяти Тип памяти
DDR (Double Data Rate - удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей. На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR - DDR3. На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3. DDR - самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей. DDR2 - следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR. Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует. DDR3L - DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3. Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM. X
| DDR2 |
| Форм-фактор Форм-фактор
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных. SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM - форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах). FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM. LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой. RIMM - устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК. X
| SODIMM |
| Количество модулей памяти Количество модулей памяти
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти. X
| 1 |
| Размер одного модуля памяти, Мб Размер одного модуля памяти, Мб
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации. X
| 1024 |
| Тактовая частота, МГц Тактовая частота, МГц
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным. X
| 667 |
Дополнительные характеристики
| Пропускная способность, Гб/с Пропускная способность, Гб/с
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду. X
| 5300 |
| Поддержка ECC Поддержка ECC
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы. X
| нет |
| Буферизованная (Регистровая) память Буферизованная (Регистровая) память
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы. X
| нет |
| Низкопрофильная Низкопрофильная
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм. X
| нет |
| Количество контактов Количество контактов
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы. X
| 200 |
| Число чипов на один модуль памяти Число чипов на один модуль памяти
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле. X
| 4 |
| Напряжение, В Напряжение, В
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение. X
| 1.5 |
| Наличие радиатора Наличие радиатора
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц). X
| нет |
| CAS Latency (CL), тактов CAS Latency (CL), тактов
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5). X
| 10 |
| Упаковка чипов Упаковка чипов
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон. X
| не указана |
| tRCD, тактов tRCD, тактов
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS - Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память. X
| 10 |
| tRP, тактов tRP, тактов
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) - время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти. X
| 10 |
| tRAS, тактов tRAS, тактов
tRAS (Activate to Precharge Delay) - задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти. X
| 30 |
| Количество ранков Количество ранков
Ранк - область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше. X
| 4 |
| Совместимость Совместимость
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире. X
| Acer Aspire 5540 5541, 5542; 5550 5551; 5560 5562, 5563; 5570 ; 5580 5583; 5590 5593, 5594; 5600 5601, 5602; 5610 5612; 5620 5622; 5630 5633; 5650 5652; 5670 5672; 5680 5685; 9110 9112, 9114; 9300 9301, 9303; 9410 9411, 9412; 9420 ; 9510 9512, 9513, 9515; 9520 ; 9800 9802, 9804, 9805; 9810 9813, 9814, 9815; L310 ; Ferrari 1000 1000, 1004; 5000 5005, 5006; Power 1000 ; 2000 ; TravelMate 3010 3012; 3020 3022; 3040 3043; 3240 ; 3250 3252; 3260 ; 3270 3273; 3280 3282; 3290 3293; 4200 4202; 4210 ; 4230 4233; 4260 4262; 4270 ; 4280 4283; 4670 4672, 4674; 5610 5612, 5614; 5620 5623; 5620 5625; 6410 6413; 6460 6463, 6464, 6465; 6500 ; 8200 8202, 8204, 8205; 8210 8215, 8216; C210 ; Veriton 1000 |