русский язык English Language/Язык:

Характеристики оперативной памяти Kingston KVR1333D3N9/2G

Средняя цена по России, руб:  971

Популярность: 0.7/10

Общие характеристики

ПроизводительЧто это?
Производитель

Фирма, спроектировавшая данный модуль памяти.

X
Kingston
Тип памятиЧто это?
Тип памяти

DDR (Double Data Rate - удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.

На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR - DDR3.

На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.

DDR - самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.

DDR2 - следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.

Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.

DDR3L - DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.

Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.

X
DDR3
Форм-факторЧто это?
Форм-фактор

DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.

SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM - форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).

FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.

LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.

RIMM - устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.

X
DIMM
Количество модулей памятиЧто это?
Количество модулей памяти

Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.

X
1
Размер одного модуля памяти, МбЧто это?
Размер одного модуля памяти, Мб

Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.

X
2048
Тактовая частота, МГцЧто это?
Тактовая частота, МГц

Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.

X
1333

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/сЧто это?
Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

X
10600
Поддержка ECCЧто это?
Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

X
нет
Буферизованная (Регистровая) памятьЧто это?
Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

X
нет
НизкопрофильнаяЧто это?
Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

X
нет
Количество контактовЧто это?
Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

X
240
Число чипов на один модуль памятиЧто это?
Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

X
16
Напряжение, ВЧто это?
Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

X
1.5
Наличие радиатораЧто это?
Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

X
нет
CAS Latency (CL), тактовЧто это?
CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

X
9
Упаковка чиповЧто это?
Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

X
двусторонняя упаковка
tRCD, тактовЧто это?
tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS - Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

X
9
tRP, тактовЧто это?
tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) - время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X
9
tRAS, тактовЧто это?
tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) - задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X
30
Количество ранковЧто это?
Количество ранков

Ранк - область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

X
4
СовместимостьЧто это?
Совместимость

Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.

X
не указана

Дополнительная информация



Поделиться ссылкой с друзьями: